| 型号：IRF640L | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 18A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1300pF @ 25V |
| 功率_最大 | 130W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
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